對下列產(chǎn)品及服務(wù)進行國際公開競爭性招標，于2024-01-02在 公告。本次招標采用傳統(tǒng)招標方式，現(xiàn)邀請合格投標人參加投標。1、招標條件項目概況:上海臨港化合物半導體4吋及6吋量產(chǎn)線建設(shè)項目資金到位或資金來源落實情況:項目資金已落實項目已具備招標條件的說明:已具備2、招標內(nèi)容招標項目編號:0705-234004044057招標項目名稱:高性能CCP等離子刻蝕機采購項目實施地點:中國上海市招標產(chǎn)品列表(主要設(shè)備):

序號	產(chǎn)品名稱	數(shù)量	簡要技術(shù)規(guī)格	備注
1	高性能CCP等離子刻蝕機	1臺	1）產(chǎn)品尺寸Wafer size: 6inch 2） 產(chǎn)品材料Wafer material: 二氧化硅(SiO2)，氮化硅(SiN) 3）工作原理Working principle: 干法等離子刻蝕機詳見第八章“技術(shù)規(guī)格”

3、投標人資格要求投標人應具備的資格或業(yè)績:（1） 投標人應為符合《中華人民共和國招標投標法》規(guī)定的獨立法人或其他組織；（2） 如是代理商投標的話，投標人須獲得投標貨物的制造商出具的針對本項目設(shè)備的制造商授權(quán)書或者能證明投標人與制造商之間合法代理關(guān)系的證明；（3） 投標人提供的投標貨物必須為新設(shè)備；（4） 投標人或投標貨物的制造商須具備此類設(shè)備的生產(chǎn)或供貨經(jīng)驗，投標人或投標貨物的制造商在近 3年內(nèi)至少為中國大陸地區(qū)提供過5臺以上與投標產(chǎn)品相同或相似的設(shè)備；（5） 投標人須在投標截止期之前在國家商務(wù)部指定的機電產(chǎn)品招標投標 （以下簡稱機電產(chǎn)品交易平臺，網(wǎng)址為：http:// ）完成注冊及信息核驗。評標結(jié)果將在必聯(lián)網(wǎng)和 公示。7、聯(lián)系方式招標人:上海新微半導體 地址:上海市臨港新片區(qū)妙香路2000號（妙香路飛渡路交界處）
未曾在中國電力招標采購網(wǎng)（m.dl-yggm.cn）上注冊會員的單位應先注冊。登錄成功后根據(jù)招標公告的相說明下載投標文件！

項目 聯(lián)系人：李楊  
咨詢電話：010-51957458 
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備注：欲購買招標文件的潛在投標人,注冊網(wǎng)站并繳納因特網(wǎng)技術(shù)服務(wù)費后，查看項目業(yè)主，招標公告，中標公示等，并下載資格預審范圍，資質(zhì)要求，招標清單，報名申請表等。為保證您能夠順利投標，具體要求及購買標書操作流程按公告詳細內(nèi)容為準，以招標業(yè)主的解答為準本。

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